[发明专利]一种高一致性忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910404863.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110165050A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京科易达知识产权服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的提供一种高一致性忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括惰性金属下电极、氧化物阻变层、活性金属纳米插层、惰性金属上电极，氧化物阻变层中包含有部分的活性金属原子，其特征在于沿由所述金属下电极指向所述金属上电极的方向，活性金属原子的含量递增变化，本发明的忆阻器在外加电压作用下能够实现高低阻态的转变，呈现双极性阻变。器件阻变电压的幅度≤3V，阻态波动小于30％，良率大于90％。所述制备方法，通过器件结构设计、工艺优化，实现活性金属原子对氧化物阻变层的梯度掺杂，降低器件离散性，提高器件的良率。本发明中忆阻器阻变的机制主要由活性金属原子参与的氧化还原反应所主导，器件的阻态波动小于30％，良率大于90％。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 活性金属原子 氧化物阻变层 良率 阻态 制备 惰性金属 下电极 氧化还原反应 金属上电极 递增变化 工艺优化 活性金属 降低器件 纳米插层 器件结构 梯度掺杂 外加电压 电极 变电压 离散性 双极性 指向 金属 主导 | ||
【主权项】：
1.一种高一致性忆阻器，所述忆阻器自下而上包括惰性金属下电极、氧化物阻变层、活性金属纳米插层、惰性金属上电极，氧化物阻变层中包含有部分的活性金属原子，其特征在于沿由所述金属下电极指向所述金属上电极的方向，活性金属原子的含量递增变化。
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