[发明专利]在基板的突出部上包括接触部的垂直FET器件在审
| 申请号： | 201910405404.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110504320A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑荣采;姜明吉;徐康一;金善培;朴容喜 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 吴晓兵<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了VFET器件。一种VFET器件包括基板，该基板包括第一突出部和第二突出部。该VFET器件包括位于第一突出部和第二突出部之间的隔离区域。该VFET器件包括分别位于第一突出部和第二突出部上的第一硅化物区域和第二硅化物区域。此外，该VFET器件包括位于第一硅化物区域和第二硅化物区域上的接触部。还提供了形成VFET器件的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 突出部 硅化物区域 基板 隔离区域 | ||
【主权项】：
1.一种垂直场效应晶体管VFET器件，包括：/n基板，所述基板包括多个竖直突出部；/n多个隔离区域，交替布置在所述多个竖直突出部之间；/n所述多个竖直突出部的顶面和侧壁上的多个硅化物区域；以及/n所述多个竖直突出部的顶面和侧壁上的所述多个硅化物区域上的接触部。/n
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