[发明专利]一种玻璃钝化硅晶圆的切割方法在审
申请号: | 201910405876.7 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110085554A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 方敏清 | 申请(专利权)人: | 强茂电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/38 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的切割方法,包含以下步骤:第一步,正常玻璃钝化硅晶圆制造,不需要制作背面定位切割道;第二步,使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割;第三步,划片正面切割芯片晶粒。第三步划片正面切割芯片晶粒,将背面激光半切穿的晶圆,背面用蓝膜黏贴后,放入划片切割机台内,以晶圆玻璃沟槽作为定位基准,采用可切玻璃的钻石切割刀方式进行正面划片切割,将该半切穿的玻璃钝化硅晶圆分离成单一的芯片晶粒。晶圆背面采用激光切割方式,晶圆背面崩边等问题较少,不会发生芯片侧面凸起、侧面凹陷等品质问题,不会发生正反面切割偏位问题。 | ||
搜索关键词: | 切割 硅晶圆 划片 玻璃钝化 芯片晶粒 背面 半切 玻璃沟槽 定位基准 晶圆背面 晶圆 激光 激光切割方式 定位切割道 品质问题 切割机台 芯片侧面 正常玻璃 钻石切割 正反面 凹陷 崩边 钝化 放入 蓝膜 偏位 凸起 玻璃 侧面 制作 制造 | ||
【主权项】:
1.一种玻璃钝化硅晶圆的切割方法,包含以下步骤:第一步,正常玻璃钝化硅晶圆制造,不需要制作背面定位切割道;第二步,使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割;第三步,划片正面切割芯片晶粒;其中,使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割包括如下步骤;a.玻璃钝化硅晶圆放置在双层透明玻璃片上,该双层透明玻璃片的上层有小孔,旁边有真空接口,方便抽真空时将晶圆吸附固定在玻璃上;b.双层透明玻璃片正下方,放置有显微放大镜头和摄像机,依据玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽作为切割定位线,对玻璃钝化硅晶圆进行定位;c.晶圆定位完成后,通过对激光的扩束、聚焦后对钝化玻璃硅晶圆背面进行切割,使用半切穿方式形成激光切割槽;第三步划片正面切割芯片晶粒,将背面激光半切穿的晶圆,背面用蓝膜黏贴后,放入划片切割机台内,以晶圆玻璃沟槽作为定位基准,采用可切玻璃的钻石切割刀方式进行正面划片切割,将该半切穿的玻璃钝化硅晶圆分离成单一的芯片晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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