[发明专利]半导体装置的形成方法在审

申请号：	201910405924.2	申请日：	2019-05-15
公开（公告）号：	CN110783195A	公开（公告）日：	2020-02-11
发明（设计）人：	王俊杰;白岳青;杨怀德	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	聂慧荃;郑特强
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本公开涉及一种半导体装置的形成方法，且涉及包含盖层的半导体装置与其形成方法。在一实施例中，方法包括外延成长第一半导体层于n型井上；蚀刻第一半导体层以形成第一凹陷；外延成长第二半导体层以填入第一凹陷；蚀刻第二半导体层、第一半导体层与n型井以形成第一鳍状物；形成浅沟槽隔离区以与第一鳍状物相邻；以及形成盖层于第一鳍状物上，且盖层接触第二半导体层，其中形成盖层的步骤包括：进行预清洁工艺以自第二半导体层的露出表面移除原生氧化物；进行升华工艺以产生第一前驱物；以及进行沉积工艺，其中来自第一前驱物的材料沉积于第二半导体层上以形成盖层。
搜索关键词：	半导体层盖层鳍状物蚀刻半导体装置前驱物凹陷浅沟槽隔离区原生氧化物材料沉积露出表面预清洁井上填入移除沉积升华
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n外延成长一第一半导体层于一n型井上；/n蚀刻该第一半导体层以形成一第一凹陷；/n外延成长一第二半导体层以填入该第一凹陷；/n蚀刻该第二半导体层、该第一半导体层与该n型井以形成一第一鳍状物；/n形成一浅沟槽隔离区以与该第一鳍状物相邻；以及/n形成一盖层于该第一鳍状物上，且该盖层接触该第二半导体层，其中形成该盖层的步骤包括：/n进行一预清洁工艺以自该第二半导体层的露出表面移除原生氧化物；/n进行一升华工艺以产生一第一前驱物；以及/n进行一沉积工艺，其中来自该第一前驱物的材料沉积于该第二半导体层上以形成该盖层。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910405924.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]半导体装置的形成方法在审

专利文献下载