[发明专利]湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201910406084.1 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110197802B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 陈建锋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种湿法刻蚀设备包括刻蚀腔、至少一遮蔽门和至少一喷淋管。所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基片,在其前端具有入口,在其后端具有出口;所述遮蔽门通过一转轴安装于所述入口或出口;所述喷淋管设置于所述转轴上,所述喷淋管与所述遮蔽门同时翻转,当所述遮蔽门关闭时,所述喷淋管位于所述基片行进通道的上方;所述喷淋管能够朝四周喷射液体,以清洗在所述入口或出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋,可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶,提高设备稼动率,洁净度及产品质量。 | ||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:刻蚀腔,用于容纳并刻蚀基片,在其前端具有入口,在其后端具有出口;至少一遮蔽门,为翻折类型的遮蔽门,通过一转轴安装于所述入口或出口,所述遮蔽门与所述基片行进的方向垂直,当所述基片通过时,所述遮蔽门能够打开,而当所述基片不需要通过时,所述遮蔽门能够关闭;至少一喷淋管,设置于所述转轴上,当所述遮蔽门打开时,所述喷淋管与所述遮蔽门一起转动并离开所述入口或所述出口,并且所述喷淋管位于所述基片行进通道的下方,当所述遮蔽门关闭时,所述喷淋管与所述遮蔽门共同复位,所述遮蔽门关闭所述入口或出口,并且所述喷淋管位于所述基片行进通道的上方;所述喷淋管能够朝四周喷射液体,以清洗在所述入口或出口处形成的刻蚀液结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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