[发明专利]湿法刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201910406084.1 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN110197802B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 陈建锋 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种湿法刻蚀设备包括刻蚀腔、至少一遮蔽门和至少一喷淋管。所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基片,在其前端具有入口,在其后端具有出口;所述遮蔽门通过一转轴安装于所述入口或出口;所述喷淋管设置于所述转轴上,所述喷淋管与所述遮蔽门同时翻转,当所述遮蔽门关闭时,所述喷淋管位于所述基片行进通道的上方;所述喷淋管能够朝四周喷射液体,以清洗在所述入口或出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋,可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶,提高设备稼动率,洁净度及产品质量。
搜索关键词: 湿法 刻蚀 设备
【主权项】:
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:刻蚀腔,用于容纳并刻蚀基片,在其前端具有入口,在其后端具有出口;至少一遮蔽门,为翻折类型的遮蔽门,通过一转轴安装于所述入口或出口,所述遮蔽门与所述基片行进的方向垂直,当所述基片通过时,所述遮蔽门能够打开,而当所述基片不需要通过时,所述遮蔽门能够关闭;至少一喷淋管,设置于所述转轴上,当所述遮蔽门打开时,所述喷淋管与所述遮蔽门一起转动并离开所述入口或所述出口,并且所述喷淋管位于所述基片行进通道的下方,当所述遮蔽门关闭时,所述喷淋管与所述遮蔽门共同复位,所述遮蔽门关闭所述入口或出口,并且所述喷淋管位于所述基片行进通道的上方;所述喷淋管能够朝四周喷射液体,以清洗在所述入口或出口处形成的刻蚀液结晶。
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