[发明专利]反熔丝存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201910406130.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952280A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李雄 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种反熔丝存储单元及其形成方法，所述反熔丝存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和至少两个下电极区，所述下电极区与所述互连区至少一部分接触；覆盖所有下电极区表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层。本发明的反熔丝存储单元的编程电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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