[发明专利]一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910406707.5 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111952263B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张若浔;李明;王淑慧;谭祾月 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法，属于电子封装领域。所述结构主要包括基底、阻挡层、含磷铜种子层、铜针；所述基底为具有通孔和沟槽的介质层、具有盲孔的硅晶圆、具有铜柱窗口的半导体衬底中的一种；所述阻挡层设置在介质层的通孔和沟槽的内侧壁和底部、硅晶圆的盲孔的内侧壁和底部、或半导体衬底上的铜柱窗口底部；所述含磷铜种子层设置在与基底平行的阻挡层上方；所述铜针在含磷铜种子层上沉积得到。该结构在铜种子层中掺入磷元素，进行电镀时不需要添加剂的协助即可形成微米级单晶铜针，作为铜互连结构。本发明得到的铜互连结构，是完整的单晶结构，没有横向晶界的存在使得铜互连的传输性能显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 级单晶铜 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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