[发明专利]一种控制反应气体进入真空反应腔的方法有效
申请号: | 201910406800.6 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN110137069B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 周旭升 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/455 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种控制反应气体进入真空反应腔的方法,所述方法包括:提供一刻蚀气体源和一沉积气体源,在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置,在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门,每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置,另一控制阀门与真空反应腔相连;控制所述气体流量控制装置在小于1秒的时间内在高、低气体流量状态之间切换;当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时,控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭,同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间,以避开反应气体的激增状态。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 反应 气体 进入 真空 方法 | ||
【主权项】:
1.一种控制反应气体进入真空反应腔的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:提供一刻蚀气体源和一沉积气体源,在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置,在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门,每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置,另一控制阀门与真空反应腔相连;控制所述流量控制装置在小于1秒的时间内在低气体流量状态和高气体流量状态之间切换;当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时,控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭,同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间,以避开反应气体的激增状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910406800.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。