[发明专利]一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910407031.1 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110040976B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张勇;史英迪;汤凯;宋艳斌;崔接武;王岩;秦永强;舒霞;吴玉程 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;G02F1/1524;G02F1/15;G02F1/153 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法，属于电致变色薄膜领域。本发明中，所述氧化钨电致变色薄膜材料包括FTO导电玻璃基底层和氧化钨层，O原子比例从所述FTO导电玻璃基底层的表面到氧化钨层的表面呈逐渐增加趋势；所述氧化钨层中的O原子集中分布在氧化钨颗粒的表面，所述氧化钨颗粒内部集中存在大量氧缺陷，所述氧化钨颗粒具有斜方相结构。本发明稳定的晶态结构、均匀的晶粒尺寸以及独特的梯度成分分布和氧缺陷分布提升了电致变色薄膜材料的电致变色性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 变色 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化钨电致变色薄膜材料，其特征在于：所述氧化钨电致变色薄膜材料包括FTO导电玻璃基底层和氧化钨层，O原子比例从所述FTO导电玻璃基底层的表面到氧化钨层的表面呈逐渐增加趋势；所述氧化钨层中的O原子集中分布在氧化钨颗粒的表面，所述氧化钨颗粒内部集中存在大量氧缺陷，所述氧化钨颗粒具有斜方相结构。
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