[发明专利]空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910407140.3 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN111952199A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H03H9/64
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法,在载体上形成具有第一粘结层开口的粘结层,将半导体芯片置于所述粘结层上,在所述第一粘结层开口处形成第一空腔,所述第一空腔至少对准所述半导体芯片的有源区域的一部分,然后,通过塑封工艺将所述半导体芯片塑封在所述载体上,最后,在与所述半导体芯片的输入/输出电极区域对准的位置处形成贯穿所述载体的通孔,述载体异于形成有粘结层的一面形成互连结构,所述互连结构贯穿通孔并电性连接输入/输出电极。发明提供的空气隙型半导体器件封装结构的制作方法,不需要较长的引脚和上盖密封,减小了封装体积和材料成本。
搜索关键词: 空气 半导体器件 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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