[发明专利]微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线有效

专利信息
申请号: 201910407319.9 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110112523B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 赵永志;李光福;王绍东 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01P3/06 分类号: H01P3/06;H01P11/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 陆林生
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线,其中微同轴结构包括:通过金属层键合的第一基片和第二基片;贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列;位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气槽和位于所述第二基片的键合面一侧的第二空气槽形成的空气腔体结构,所述空气腔体结构为至少两个;覆盖在所述第一基片的第一面、所述第二基片的第一面和所述通孔阵列中通孔内壁的金属层,所述第一基片的第一面为与所述第一基片的键合面背向设置的一面;所述第二基片的第一面为与所述第二基片的键合面背向设置的一面。上述微同轴结构的损耗较低、隔离度较高。
搜索关键词: 同轴 结构 制备 方法 微型 同轴线
【主权项】:
1.一种微同轴结构,其特征在于,包括:通过金属层键合的第一基片和第二基片;贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列;位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气槽和位于所述第二基片的键合面一侧的第二空气槽形成的空气腔体结构,所述空气腔体结构为至少两个;覆盖在所述第一基片的第一面、所述第二基片的第一面和所述通孔阵列中通孔内壁的金属层,所述第一基片的第一面为与所述第一基片的键合面背向设置的一面,所述第二基片的第一面为与所述第二基片的键合面背向设置的一面。
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