[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法

摘要

本发明提供一种离子注入装置及离子注入装置的控制方法，其课题在于提供一种能够减小输送过程中对晶片的污染的影响的技术。本发明的离子注入装置(10)具备：真空处理室(16)，进行对晶片(W)的离子注入处理；一个以上的装载锁定室(54a、54b)，用于向真空处理室(16)搬入晶片，并从真空处理室(16)搬出晶片；中间输送室(52)，与真空处理室(16)及装载锁定室(54a、54b)这两者相邻而设；装载锁定室‑中间输送室连通机构(72a、72b)，其具有连通装载锁定室(54a、54b)与中间输送室(52)之间的装载锁定室‑中间输送室连通口及能够封闭装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构(70)，其具有连通中间输送室(52)与真空处理室(16)之间的中间输送室‑真空处理室连通口及能够屏蔽中间输送室‑真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板。

主权项

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：真空处理室，进行对晶片的离子注入处理；一个以上的装载锁定室，用于将晶片搬入到所述真空处理室，并从所述真空处理室搬出晶片；中间输送室，与所述真空处理室及所述装载锁定室这两者相邻而设；中间输送机构，设置于所述中间输送室，并实现所述装载锁定室与所述中间输送室之间的晶片输送及所述中间输送室与所述真空处理室之间的晶片输送；装载锁定室‑中间输送室连通机构，其具有连通所述装载锁定室与所述中间输送室之间的装载锁定室‑中间输送室连通口；及可封闭所述装载锁定室‑中间输送室连通口的闸阀；及中间输送室‑真空处理室连通机构，其具有连通所述中间输送室与所述真空处理室之间的中间输送室‑真空处理室连通口；及能够屏蔽所述中间输送室‑真空处理室连通口的一部分或全部的可动式屏蔽板，所述真空处理室和所述中间输送室在不进行晶片处理的稳定状态下被保持成真空状态。