[发明专利]一种键合结构的缺陷扫描方法及设备有效
| 申请号： | 201910409848.2 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110148569B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的一种键合结构的缺陷扫描方法及设备，键合结构可以包括至少三个晶圆，这至少三个晶圆被垂直键合形成多个键合界面，通过对键合结构进行平面超声波扫描，可以得到所有键合界面的气泡缺陷的平面分布信息，通过对气泡缺陷进行剖面扫描，可以得到气泡缺陷的剖面分布信息，通过剖面分布信息，可以确定气泡缺陷所在的键合界面。这样，通过平面扫描和剖面扫描，可以准确获取气泡缺陷所在的平面位置以及垂直位置，从而实现各个键合界面的分层监控，及时发现各键合界面处的气泡缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 缺陷 扫描 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种键合结构的缺陷扫描方法，其特征在于，所述键合结构包括至少三个晶圆，所述至少三个晶圆被垂直键合，所述扫描方法包括：进行键合结构的平面超声波扫描，以获得所有键合界面的气泡缺陷的平面分布信息；对所述气泡缺陷进行剖面扫描，以获得气泡缺陷的剖面分布信息；通过所述剖面分布信息，确定所述气泡缺陷所在的键合界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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