[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：具有第1处理组件；第2处理组件；第1排气箱；第1供给箱；第2排气箱，其与第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对第2处理容器内进行排气的第2排气系统；第2供给箱，其在第2排气箱的与相邻于第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，第1排气箱配置在位于第1处理组件背面的与第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，第2排气箱配置在位于第2处理组件背面的与第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。

主权项

1.衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。