[发明专利]利用氧化亚锡调节阈值电压的氧化镓场效应管及制备方法在审
| 申请号： | 201910410099.5 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110034192A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 辛倩;刘雅璇;宋爱民;徐明升;杜路路 | 申请（专利权）人： | 山东大学深圳研究院;山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 褚庆森 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的利用氧化亚锡调节阈值电压的氧化镓场效应晶体管，包括衬底、栅电极、源电极和漏电极，衬底的上表面设置有底栅介质层；底栅介质层上设置有氧化镓沟道层，氧化镓沟道层的材料为N型掺杂氧化镓；源电极与漏电极之间的氧化镓沟道层上设置有氧化亚锡层。本发明的场效应晶体管的制备方法，包括：a).衬底清洗；b).制备氧化镓薄膜；c).去除转移物；d).制备源、漏电极；e).制备氧化亚锡层；f).退火处理。本发明针对现有氧化镓晶体管需要很大的负电压才能关断的问题，提出利用p型氧化亚锡调节n型氧化镓场效应晶体管阈值电压的方法及工艺，以调控晶体管的阈值电压，能够明显改善器件的阈值电压，提高器件的利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 氧化亚锡 阈值电压 制备 场效应晶体管 沟道层 漏电极 源电极 晶体管 衬底 场效应管 衬底清洗 退火处理 栅介质层 负电压 介质层 上表面 栅电极 转移物 底栅 关断 薄膜 去除 调控 | ||
【主权项】：
1.一种利用p型氧化亚锡调节阈值电压的氧化镓场效应晶体管，包括衬底、栅电极、源电极（4）和漏电极（5），衬底的上表面设置有底栅介质层（2）；其特征在于：所述底栅介质层的上表面设置有氧化镓沟道层（3），氧化镓沟道层的材料为n型掺杂氧化镓；源电极和漏电极间隔设置于氧化镓沟道层的上表面，源电极与漏电极之间的氧化镓沟道层上设置有氧化亚锡层（6），氧化亚锡层与源电极和漏电极均不相接触。
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