[发明专利]一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法有效
| 申请号： | 201910410288.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110013999B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 祖小涛;黎波;向霞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于光学元件制造技术领域，具体涉及一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法。针对现有技术中使用酸刻蚀去除氚污染的光学膜的缺点，本发明的技术方案是：首先测定与待去膜光学元件同工艺的光学膜厚度；然后标定离子束对元件表面光学膜的刻蚀速率；最后采用能量为100eV～1500eV，束流为100mA～500mA，离子束入射角度为‑90°～90°的惰性离子束对元件表面的氚污染光学膜进行准确刻蚀去除。采用本发明方法，可有效地解决现有酸刻蚀技术去除氚污染光学膜的不足，同时保证光学基底的表面质量、光学性能及抗激光损伤能力不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 惰性 离子束 刻蚀 污染 光学 无损 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法，其特征在于，包括如下步骤：[1]测定与待去膜光学元件同工艺的光学膜的厚度，得到待去膜的厚度，进而确定标定过程中离子束刻蚀去除的膜的厚度；[2]在与待去膜光学元件同工艺的光学膜上试验，标定离子束对该种类的光学膜的刻蚀速率；[3]根据步骤[1]和[2]中离子束刻蚀去除的膜的厚度和标定得到的刻蚀速率计算得到待去膜完全去除的时间；然后采用离子束对待去膜光学元件表面进行刻蚀，刻蚀的时间设定为计算得到的待去膜完全去除的时间，最终得到去膜后的光学元件；[4]清洗经过步骤[3]处理后得到的去膜后的光学元件。
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