[发明专利]一种高磷低碳软磁铁基非晶合金薄带及其制备方法在审
申请号: | 201910410780.X | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN110106455A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 张涛;史植广;李然 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C22C45/02 | 分类号: | C22C45/02;C21D9/52;C21D1/773;H01F1/153 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 冀学军 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高磷低碳软磁铁基非晶合金薄带及其制备方法,软磁铁基非晶合金薄带成分为FeaPbCcBdDe,且a+b+c+d+e=100,其中b的原子百分比含量为9~17,c的原子百分含量为0.1~5,d的原子百分含量为0.1~5,e的原子百分含量为0.1~5,a为余量。本发明合金材料具有优异的软磁性能,良好的弯曲韧性,且成形性好、制备方法简单,生产成本低廉,可广泛应用于磁性材料领域。 | ||
搜索关键词: | 合金薄带 软磁铁 基非 制备 低碳 高磷 磁性材料领域 发明合金材料 原子百分比 软磁性能 弯曲韧性 成形性 生产成本 应用 | ||
【主权项】:
1.一种高磷低碳软磁铁基非晶合金薄带,其特征在于:软磁铁基非晶合金薄带成分为FeaPbCcBdDe,且a+b+c+d+e=100,其中b的原子百分比含量为9~17,c的原子百分含量为0.1~5,d的原子百分含量为0.1~5,e的原子百分含量为0.1~5,a为余量;所述D元素可以是Co、Ni、Cu一种或多种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910410780.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硼基非晶合金及其制备方法
- 下一篇:一种非晶合金支架及其制备方法