[发明专利]集中发光元件的显示器在审
申请号: | 201910411227.8 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110600492A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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摘要: | 本发明公开一种显示器。显示器包含基板和多个发光元件。基板具有至少一个定义在基板上的像素。多个子像素定义于像素中。多个发光元件分别座落于多个子像素内。其中一个子像素的几何中心和多个发光元件的共同几何中心之间的距离大于前述其中一个子像素中的发光元件的几何中心和前述多个发光元件的所述共同几何中心之间的距离。且其中一个发光元件与其所对应所属的子像素之间的相对位置不同于剩下的多个发光元件当中的至少一个发光元件与其所对应所属的子像素之间的相对位置。本发明所提出的显示器让发光元件有更加集中的排列方式,因而具有较佳的混光效果。 | ||
搜索关键词: | 发光元件 几何中心 子像素 像素 基板 显示器 混光效果 排列方式 | ||
【主权项】:
1.一种集中发光元件的显示器,其特征在于,包含:/n基板,具有至少一个定义在所述基板上的像素,多个子像素定义于所述像素中;以及/n多个发光元件分别座落于所述多个子像素内,其中一个所述子像素的几何中心和所述多个发光元件的共同几何中心之间的距离大于所述其中一个子像素中的所述发光元件的几何中心和所述多个发光元件的所述共同几何中心之间的距离,且其中一个所述发光元件与其对应所属的所述子像素之间的相对位置不同于剩下的所述多个发光元件当中的至少一个发光元件与其对应所属的所述子像素之间的相对位置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的