[发明专利]P型单晶硅双面太阳电池制备方法

摘要

本发明提供了一种P型单晶硅双面太阳电池制备方法，通过在硅片前表面形成发射极；采用一步法湿法刻蚀去除磷硅玻璃并抛光硅片背面；在抛光后的硅片背面，通过热硝酸生长SiO，在硅片背面形成SiO2氧化层，再在SiO2氧化层上采用LPCVD沉积PolySi钝化层，然后通过扩散的方式在背面形成P+结；采用PECVD设备，在硅片发射极和PolySi钝化层上沉积SiNx钝化层；采用丝网印刷设备，在硅片正背面形成金属电极。本发明的优点是可应用与高温过程，与现有产业化技术兼容性高，开路电压高，填充因子高，电池的转换效率高，电池的稳定性好。

主权项

1.一种P型单晶硅双面太阳电池制备方法，其特征在于，包括：在硅片的表面形成纳米绒面结构；在硅片的正面形成发射极；去除硅片上的磷硅玻璃并抛光硅片的背面；在抛光后的硅片的背面，通过热硝酸生长SiO，在硅片的背面形成SiO2氧化层，再在所述SiO2氧化层上沉积PolySi钝化层，然后在硅片的背面形成P+结；在硅片的发射极和PolySi钝化层上沉积SiNx钝化层；在硅片的正面和背面形成金属电极。