[发明专利]一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法在审
| 申请号： | 201910411698.9 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110098111A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 袁华斌;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 谢新萍 |
| 地址： | 213213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法，该扩散方法包括前氧化、第一次少量扩散、第一次推进、大量扩散、第二次推进、第二次少量扩散、第三次推进、后氧化、附磷。采用三步扩散的工艺方法，并且控制三步扩散过程中的温度以及气体流量，使得气体浓度的分布达到最优，解决了现有技术中因表面浓度偏高而造成的表面少子寿命低，与表面浓度低而造成的结深浅两难的技术问题，同时提高了电池片的短波响应，开压与功率均取得了较大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 晶体硅太阳能电池 发射极 太阳能电池技术 表面少子寿命 短波响应 气体流量 电池片 深浅 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法，其特征在于，所述三步低压扩散方法包括前氧化、第一次少量扩散、第一次推进、大量扩散、第二次推进、第二次少量扩散、第三次推进、后氧化、附磷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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