[发明专利]一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法有效
| 申请号： | 201910411740.7 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110008650B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;朱伟华;刘红英;陈超;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 光子 晶体 内部 缺陷 成型 定位 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；S2、建立超声温度场数学模型方程；S3、根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。
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