[发明专利]一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器及制备方法在审
| 申请号： | 201910411805.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110160658A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 黄志明;胡涛;张惜月;张志博;吴敬;江林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本发明设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 锰钴镍 探测器 刻蚀 红外薄膜 非制冷 增强型 制备 表面结构层 氧介质 焦平面探测器 器件制备工艺 大规模应用 宽波段探测 薄膜材料 红外波段 红外辐射 宽带吸收 薄膜型 硅集成 敏感元 探测率 响应率 氧化铝 氧敏感 占空比 耦合光 衬底 管座 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器,包括锰钴镍氧敏感元(1)，锰钴镍氧介质超表面结构层(2)，氧化铝衬底(3)，补偿元(4)，导热硅脂(5)，电极(6)，焊丝(7)，器件引脚(8‑10)，金属外壳(11)，器件管座(12),其特征在于:所述的探测器结构如下：在氧化铝衬底(3)的上方，依次为锰钴镍氧敏感元(1)，锰钴镍氧介质超表面结构层(2)；氧化铝衬底(3)通过导热硅脂(5)粘贴在器件管座(12)上；锰钴镍氧敏感元(1)的电极(6)用金线焊丝(7)分别与器件引脚(8)和器件引脚(9)相连；补偿元(4)的电极(6)用金线焊丝(7)分别与器件引脚(9)和器件引脚(10)相连；金属外壳(11)封装在器件管座(12)上方的卡槽里。
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