[发明专利]一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，金属下电极，锰钴镍氧敏感元，硅介质超表面结构层，以及器件管座组成。通过在锰钴镍氧敏感元上，引入硅介质超表面结构层，作为耦合特定波长的光的引导层，形成导模共振条件，实现整个结构对特定波长光的完美吸收；同时反射非特定波长的光，达到器件窄带探测的效果。本发明结构中，由于硅介质结构层在红外波段具有极弱的吸收系数，吸收主要发生在敏感元部分，可以使得敏感元吸收达到85％左右，光谱曲线的品质因子(Q值)可以高达20，对于提升非制冷红外窄带探测器的探测率和目标识别准确率有着十分重要的意义。

主权项

1.一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器，包括锰钴镍氧敏感元(1)，硅介质超表面结构层(2)，金属下电极(3)，氧化铝衬底(4)，导热硅脂(5)，上电极(6)，金线焊丝(7)，器件引脚(8‑9)，器件管座(10)，其特征在于：所述的探测器结构如下：在氧化铝衬底(4)的上方依次为金属下电极(3)，锰钴镍氧敏感元(1)和硅介质超表面结构层(2)；在锰钴镍氧敏感元(1)表面，硅介质超表面结构层(2)的外圈，是上电极(6)；氧化铝衬底(4)通过导热硅脂(5)粘贴在器件管座(10)上；上电极(6)与器件引脚(9)用金线焊丝(7)相连，金属下电极(3)与器件引脚(8)用金线焊丝(7)相连。