[发明专利]一种基于锑化铟的刻蚀增强型太赫兹探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于锑化铟的刻蚀增强型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，锑化铟介质超表面结构层，对数螺旋天线和器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型太赫兹探测器，在过去的金属‑半导体‑金属(MSM)结构基础上，通过引入锑化铟介质超表面结构层，使得锑化铟敏感元上的局域等离子体激元引起的场增强效应进一步增加，起到了增强太赫兹波探测的效果，促使器件的探测率、响应率等性能指标进一步的提高，对于优化器件结构设计和改善器件性能都有着十分重要的意义，可实现室温条件下0.03‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。

主权项

1.一种基于锑化铟的刻蚀增强型太赫兹探测器，包括锑化铟敏感元(1)，锑化铟介质超表面结构层(2)，氧化铝衬底(3)，天线电极(4)，树脂垫片(5)，金线焊丝(6)，器件引脚(7)，器件管座(8)，其特征在于：所述的探测器结构如下：在氧化铝衬底(3)的上方，依次为锑化铟敏感元(1)，锑化铟介质超表面结构层(2)；在氧化铝衬底(3)表面，锑化铟敏感元(1)左右两侧，是天线电极(4)；氧化铝衬底(3)通过树脂垫片(5)粘贴在器件管座(8)上；天线电极(4)与器件引脚(7)用金线焊丝(6)相连。