[发明专利]一种柔性InGaAs探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性InGaAs探测器的制备方法：在InP衬底上覆盖单层石墨烯，然后再生长InGaAs探测器结构材料和制备InGaAs探测器结构，最后将InGaAs探测器结构与InP衬底剥离。本发明可以方便地进行高质量InP和InGaAs外延层的生长；在器件制备工艺过程中保留了衬底，为器件工艺操作带来很大的方便；利用单层石墨烯的特性可以方便地采用热释放胶带与衬底剥离，从而实现柔性InGaAs探测器的制备。本发明还可以推广到其他柔性III‑V族半导体器件的制备中，具有很好的通用性。

主权项

1.一种柔性InGaAs探测器的制备方法，所述的探测器结构为InP成核层上依次InP下接触层、InGaAs吸收层和InP上接触层，InP上接触层和下接触层具有接触电极，侧面包覆钝化膜，其特征在于包括以下步骤：(1)在InP衬底上覆盖单层石墨烯；(2)采用分子束外延方法低温生长InP成核层；低温生长InP成核层的生长温度为300‑350℃，厚度为50‑200nm；(3)衬底升温至生长温度，依次生长InP下接触层、InGaAs吸收层、InP上接触层；生长温度对于InP下接触层和InP上接触层为450‑500℃，对于InGaAs吸收层为500‑550℃；(4)利用器件制备工艺制备探测器结构；(5)采用热释放胶带将探测器结构从衬底剥离，完成柔性InGaAs探测器的制备。