[发明专利]一种硅晶体的破碎方法及热处理装置有效
| 申请号： | 201910411874.9 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110124837B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B02C23/00 | 分类号： | B02C23/00;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅晶体的破碎方法及热处理装置，硅晶体的破碎方法包括：对硅晶体进行热处理，所述硅晶体至少包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的温度差大于温差阈值，将热处理后的硅晶体进行破碎处理。根据本发明的硅晶体的破碎方法，对硅晶体进行热处理后，使得硅晶体上的第一区域和第二区域的温度差大于温差阈值以产生热应变，使得硅晶体容易破碎，硅晶体上的温度不同时便于将热处理后的硅晶体进行破碎处理，热处理时所需温度低，破碎后的硅晶体上不易产生裂纹，避免后续的蚀刻工序中杂质与试剂液进入裂纹层，避免杂质与试剂液污染裂纹层，提高破碎后的硅晶体的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 破碎 方法 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶体的破碎方法，其特征在于，包括：对硅晶体进行热处理，所述硅晶体至少包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的温度差大于温差阈值，将热处理后的硅晶体进行破碎处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910411874.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
