[发明专利]半导体衬底切割系统及相关方法在审
| 申请号： | 201910411928.1 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110576521A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登;T·内耶尔;F·阿勒斯坦姆 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D7/04;B24B7/22;B24B41/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“半导体衬底切割系统和相关方法”。本发明提供了一种减薄半导体衬底，该减薄半导体衬底的方法的实施方式可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底具有在所述第一表面与所述第二表面之间的厚度。所述方法还可以包括：在向所述厚度中的第一深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第一损伤层；在向所述厚度中的第二深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第二损伤层；以及将超声能量施加到所述半导体衬底。所述方法可以包括沿着所述第一损伤层以及沿着所述第二损伤层跨所述厚度将所述半导体衬底分成三个单独的减薄的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 损伤层 第一表面 减薄 第二表面 损伤 超声能量 切割系统 引入 施加 | ||
【主权项】：
1.一种减薄半导体衬底的方法，所述方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底具有在所述第一表面与所述第二表面之间的厚度；/n在进入所述厚度中的第一深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第一损伤层；/n在进入所述厚度中的第二深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第二损伤层；/n将超声能量施加到所述半导体衬底；以及/n沿着所述第一损伤层以及沿着所述第二损伤层跨所述厚度将所述半导体衬底分成三个单独的减薄的部分。/n
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