[发明专利]一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法有效
申请号: | 201910412251.3 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110182754B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 李铁;何云乾;刘延祥;王跃林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 余永莉 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法,包括步骤:提供半导体单晶衬底,在衬底表面制备薄膜掩膜,并刻蚀窗口阵列;采用湿法技术腐蚀衬底表面,在该表面形成微纳金字塔结构;移除薄膜掩膜,在衬底表面制备出薄膜,在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜;采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极;对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域;以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜,即得。本发明采用微加工技术,通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性,可以显著降低热量损耗,增强光辐射,为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 结构 增强 加热器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有微纳结构增强的微加热器的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1:提供一种半导体单晶衬底,在所述半导体单晶衬底的表面制备出薄膜掩膜,并在所述薄膜掩膜表面刻蚀出窗口阵列,露出所述窗口阵列内的半导体单晶衬底表面;S2:采用湿法技术腐蚀所述窗口阵列内露出的半导体单晶衬底表面,并在该表面形成微纳金字塔结构;S3:移除步骤S1中形成的所述薄膜掩膜,继而在所述半导体单晶衬底的表面制备出单层薄膜或复合薄膜,在步骤S2中形成的所述微纳金字塔结构的表面制备出微纳结构薄膜;S4:采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在所述微纳结构薄膜的表面制备出微加热器电阻丝和电极;S5:对步骤S3中在所述半导体单晶衬底的表面形成的单层薄膜或复合薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域,所述微纳结构薄膜通过支撑膜结构支撑;以及S6:采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放所述微纳结构薄膜,获得一种具有微纳结构增强的微加热器。
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