[发明专利]P型多晶硅双面太阳能电池的制作方法

摘要

本发明提供了一种P型多晶硅双面太阳能电池的制作方法，通过对多晶硅片进行前道工序处理，去除多晶硅片的表面损伤层及氧化层；在处理后的多晶硅片的表面利用湿化学法或者干法热氧化，形成一层钝化氧化层；在多晶硅片的背面沉积Al2O3层，形成场钝化效应；将多晶硅片进行退火；采用等离子体增强化学气相沉积法在多晶硅片的表面沉积氮化硅钝化减反射层；在多晶硅片的背面的氮化硅钝化减反射层的激光开槽处印刷金属Ag/Al栅线电极，在多晶硅片的正面印刷Ag电极，确保电极与硅片间形成良好的接触。本发明采用多层不同折射率的氮化硅叠层钝化前后表面，提升钝化效果以及减少正背面的光的反射，极大的提高了多晶太阳电池的电性能参数。

主权项

1.一种P型多晶硅双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：对多晶硅片进行前道工序处理，去除多晶硅片的表面损伤层及氧化层；在处理后的多晶硅片的表面利用湿化学法或者干法热氧化，形成一层钝化氧化层；利用原子层沉积法或等离子体增强化学气相沉积法在多晶硅片的背面沉积Al2O3层，形成场钝化效应；将多晶硅片进行退火；采用等离子体增强化学气相沉积法在多晶硅片的表面沉积氮化硅钝化减反射层；在多晶硅片的背面的氮化硅钝化减反射层的激光开槽处印刷金属Ag/Al栅线电极，在多晶硅片的正面印刷Ag电极。