[发明专利]一种同时模式双波段碲镉汞探测器在审

专利信息
申请号: 201910414304.5 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110265492A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/11
代理公司: 上海沪慧律师事务所 31311 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器,通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小,因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度,因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少,在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收,在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
搜索关键词: 长波 碲镉汞 减小 层厚度 光吸收 刻蚀 碲镉汞探测器 双波段 反射电磁波 器件制备 钝化层 金属层 中心距 变小 侧壁 像元 坡度 生长 保证
【主权项】:
1.一种同时模式双波段碲镉汞探测器,包括p型碲镉汞中波层(1)、p型碲镉汞势垒层(2)、p型碲镉汞长波层(3)、碲镉汞长波层掺杂n区(4)、钝化层(5)、金属层(6)、硫化锌层(7)、长波铟柱(8)、中波铟柱(9)、公共电极铟柱(10)和碲镉汞中波层掺杂n区(11),其特征在于:在p型碲镉汞中波层(1)的一侧通过常规掺杂得到碲镉汞中波层掺杂n区(11),形成中波层pn结光敏元;在p型碲镉汞中波层(1)的另一侧上有p型碲镉汞势垒层(2)和p型碲镉汞长波层(3),在p型碲镉汞长波层(3)上通过常规掺杂得到碲镉汞长波层掺杂n区(4),形成长波层pn结光敏元;在p型碲镉汞中波层(1)和p型碲镉汞长波层(3)上生长钝化层(5)、金属层(6)和硫化锌层(7),长波铟柱(8)、中波铟柱(9)、公共电极铟柱(10)为信号引出电极。
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