[发明专利]基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备有效
| 申请号： | 201910414363.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110231559B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张晓羽 | 申请（专利权）人： | 航天科工防御技术研究试验中心 |
| 主分类号： | G01R31/3185 | 分类号： | G01R31/3185;G01R31/317 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李弘 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备，通过获取源文件；对所述源文件进行转换生成标准文件报文；建立所述标准文件报文与芯片的可操作单元的对应关系；获取测试报文；根据所述测试报文调整所述标准文件报文，并根据所述对应关系设置所述芯片的参数，得到测试数据。通过应用本申请的技术方案，实现了对于基于FLASH工艺FPGA芯片的多种静态参数的测试，填补了对此类器件静态参数测试上的空白，实现了静态参数测试覆盖，提高了测试覆盖率，提高了基于FLASH工艺的FPGA测试能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 flash 工艺 fpga 芯片 参数 测试 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法，其特征在于，包括：获取源文件；对所述源文件进行转换生成标准文件报文；建立所述标准文件报文与芯片的可操作单元的对应关系；获取测试报文；根据所述测试报文调整所述标准文件报文，并根据所述对应关系设置所述芯片的参数，得到测试数据。
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