[发明专利]一种低温漂极低功耗线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201910414672.X 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110377094B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 陈超;杨军;刘新宁 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 张伟
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种低温漂极低功耗线性稳压器,包括9个PMOS管,分别为PMOS管PM1到PMOS管PM9;两个电阻,分别为电阻R1和电阻R2;两个电容,分别为电容C1和电容C2;两个NMOS管,分别为NMOS管NM1和NMOS管NM2。本发明的稳压器将传统线性稳压器的闭环控制融合进基准电压产生电路。以最少的电流支路与晶体管数实现了极低功耗下低温漂的线性稳压功能。具有结构简单、静态功耗低、输出驱动范围大的特点。
搜索关键词: 一种 低温 漂极低 功耗 线性 稳压器
【主权项】:
1.一种低温漂极低功耗线性稳压器,其特征在于:包括9个PMOS管,分别为PMOS管PM1到PMOS管PM9;两个电阻,分别为电阻R1和电阻R2;两个电容,分别为电容C1和电容C2;两个NMOS管,分别为NMOS管NM1和NMOS管NM2;所述的PMOS管PM1的源极接电源,PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的源极,PM1的漏极接电阻R2的正极,电阻R2的负极接地;PMOS管PM2的栅极接PMOS管PM1的漏极,PMOS管PM2的漏极接地;电容C1的正极接PMOS管PM2的栅极,电容C1的负极接地;PMOS管PM3的源极接电源,PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM2的源极,PMOS管PM3的漏极接NMOS管NM1的漏极;NMOS管NM1的栅极接第一NMOS管的漏极,NMOS管NM1的源极接地;PMOS管PM4的源极接电源,PMOS管PM4的栅极接PMOS管PM2的源极,PMOS管PM4的漏极接NMOS管NM2的漏极;NMOS管NM2的栅极接NMOS管NM1的漏极,NMOS管NM2的源极接电阻R1的正极;电阻R1的负极接地;PMOS管PM5的源极接电源,PMOS管PM5的栅极接PMOS管PM9的漏极,PMOS管PM5的漏极接PMOS管PM6的源极;PMOS管PM6的栅极接NMOS管NM2的源极,PMOS管PM6的漏极接PMOS管PM7的漏极,PMOS管PM7的栅极接NMOS管NM1的漏极,PMOS管PM7的源极接地;PMOS管PM9的源极接电源,PMOS管PM9的栅极接PMOS管PM2的源极;PMOS管PM8的源极接PMOS管PM9的漏极,PMOS管PM8的栅极接PMOS管PM6的漏极,PMOS管PM8的漏极接地;电容C2即为线性稳压器的负载电容,电容C2的正极接PMOS管PM5的漏极,电容C2的负极接地。
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