[发明专利]一种三维硅基模式选择开关及其制备方法在审
| 申请号： | 201910416538.3 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110161626A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋卫锋;苗金烨;李涛 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/14 | 分类号： | G02B6/14;G02B6/12 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种三维硅基模式选择开关，该三维硅基模式选择开关包括：衬底层，在衬底层上设有下包层，在下包层上铺设有第一下层波导和第二下层波导，在第一下层波导和第二下层波导上均铺设有第一中间隔离层，在第一中间隔离层上再铺设有中间波导，在中间波导上铺设第二中间隔离层，在第二中间隔离层上再铺设有第一上层波导和第二上层波导，在第一上层波导和第二上层波导上方覆盖上覆盖层，其中中间波导通过外加电压能够实现第一下层波导和第二上层波导之间任意的高阶模开关转换。本发明结构简单、具有易于实现、工艺成熟、尺寸结构紧密、CMOS工艺兼容性高的优点，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 下层 中间隔离层 上层 模式选择开关 硅基 铺设 三维 衬底层 光信号处理 尺寸结构 光子系统 开关转换 外加电压 覆盖层 高阶模 光通信 兼容性 下包层 包层 上铺 制备 芯片 成熟 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种三维硅基模式选择开关，其特征在于：包括：衬底层(1)，在衬底层上设有下包层(2)，在下包层(2)上铺设有第一下层波导(4)和第二下层波导(5)，在第一下层波导(4)和第二下层波导(5)上均铺设有第一中间隔离层(6)，在第一中间隔离层(6)上再铺设有中间波导(8)，在中间波导(8)上铺设第二中间隔离层(9)，在第二中间隔离层(9)上再铺设有第一上层波导(11)和第二上层波导(12)，在第一上层波导(11)和第二上层波导(12)上方覆盖上覆盖层(13)，其中中间波导(8)通过外加电压能够实现第一下层波导(4)和第二上层波导(12)之间任意的高阶模开关转换。
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