[发明专利]低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201910418492.9 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN111961236B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 田国峰;王健华;武德珍;齐胜利 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08G73/10;C08L79/08
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘依云;乔雪微
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及高分子材料领域,公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法。所述方法包括以下步骤:S1、将二胺单体溶解于溶剂中,并加入二酐单体,进行第一反应制得聚酰胺酸溶液;S2、向步骤S1得到的聚酰胺酸溶液中加入催化剂和脱水剂,进行第二反应,得到溶液I;S3a、将步骤S2得到的溶液I涂覆于基体上,或者S3b、向步骤S2得到的溶液I中加入多氨基单体,得到溶液II,并将所述溶液II涂覆于基体上;S4、将步骤S3a和S3b得到的产物进行加热保温处理,即得所述低介电常数聚酰亚胺薄膜。由该方法制得的聚酰亚胺薄膜具有优异的介电性能、力学性能以及耐热性能,适用于制备柔性电路板、电子封装以及柔性显示背板等高性能电子元器件。
搜索关键词: 低介电 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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