[发明专利]硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法

摘要

本发明公开了一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，包括步骤：步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加氮化镓产品的专用生产设备组成；步骤二、进行混合生产，在混合生产中，氮化镓产品的生产步骤包括：步骤21、提供晶圆；步骤22、采用氮化镓产品的专用生产设备在晶圆上形成具有镓含量的外延层；步骤23、在完成所有具有镓含量的外延层后，在晶圆背面形成镓扩散隔离层以防止晶圆的背面区域中的镓向外扩散。本发明能降低氮化镓产品的生产成本，还能实现氮化镓产品和硅半导体产品的集成。

主权项

1.一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，所述混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加所述氮化镓产品的专用生产设备组成；所述硅半导体产品和所述氮化镓产品采用由单晶硅组成的晶圆作为衬底结构；步骤二、进行所述硅半导体产品和所述氮化镓产品的混合生产，在所述混合生产中，所述氮化镓产品的生产步骤包括：步骤21、提供所述氮化镓产品所需的晶圆；步骤22、采用所述氮化镓产品的专用生产设备在所述晶圆上形成具有镓含量的外延层；在形成所述具有镓含量的外延层的过程中会有镓扩散到所述晶圆的背面区域中；步骤23、在完成所有所述具有镓含量的外延层后，在所述晶圆背面形成镓扩散隔离层，所述镓扩散隔离层防止所述晶圆的背面区域中的镓向外扩散。