[发明专利]用于原子层过渡金属二硫属化物的直接图形化生长的方法有效
| 申请号： | 201910418823.9 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110551986B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李煦凡;A·哈鲁特尤亚恩 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 易咏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图形化的过渡金属二硫属化物单层的直接生长的方法，该方法包括以下步骤：提供由掩模覆盖的衬底，掩模具有由一个或多个成形孔洞限定的图形；通过一个或多个成形孔洞将盐热沉积在衬底上，使得沉积盐以掩模图形设置在衬底上；以及将过渡金属氧化物和硫族元素热共沉积到沉积盐上，以形成具有掩模图形的图形化的过渡金属二硫属化物单层。还提供了根据本方法制备的图形化的过渡金属二硫属化物单层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原子 过渡 金属 二硫属化物 直接 图形 化生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形化的过渡金属二硫属化物单层的直接生长的方法，所述方法包括：/n提供由掩模覆盖的衬底，所述掩模具有由一个或多个成形孔洞限定的图形；/n通过所述一个或多个成形孔洞将盐热沉积在所述衬底上，使得沉积盐以所述掩模的所述图形设置在所述衬底上；和/n将过渡金属氧化物和硫族元素热共沉积到所述沉积盐上，以形成具有所述掩模的所述图形的所述图形化的过渡金属二硫属化物单层。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
