[发明专利]用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化有效
申请号: | 201910419015.4 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN110223911B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | R·L·布里斯托尔;K·林;K·J·辛格;A·M·迈尔斯;R·E·申克尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 说明了用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化。在示例中,用于集成电路的互连结构包括被布置在衬底上之上的互连结构的第一层,所述第一层具有由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅。集成电路还包括被布置在互连结构的第一层上之上的互连结构的第二层。所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅,第二方向垂直于第一方向。 | ||
搜索关键词: | 用于 后段 工艺 beol 互连 借助 对准 图案 | ||
【主权项】:
1.一种制造用于集成电路的互连结构的方法,所述方法包括:提供金属化结构,所述金属化结构包括具有方向的第一光栅的交替的金属线和电介质线,其中,所述交替的电介质线的最高表面高于所述交替的金属线的最高表面;在所述第一光栅之上形成层间电介质(ILD)层,所述ILD层具有沿垂直于所述第一光栅的所述方向的方向的第二光栅,所述第二光栅暴露所述交替的金属线之上的多个过孔位置;在所述多个过孔位置处形成多个光桶;去除少于全部所述多个光桶的光桶,以形成一个或多个过孔开口;以及在所述多个光桶中的剩余光桶之上形成金属线,并且在与所述剩余光桶相同的平面中形成过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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