[发明专利]一种基于TSV的积累型MOS变容二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔中从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱引出有端子a，靠近通孔端部的介质层与硅衬底之间设置有P型参杂区，P型参杂区的端面上引出有端子b。本发明还公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管的制备方法，本发明基于TSV的积累型MOS变容二极管相比平面积累型MOS变容二极管具有更高的品质因数、更低的寄生电阻、更低的相位噪声和更好的调谐线性度。

主权项

1.一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，其特征在于，包括P型硅衬底(5)，硅衬底(5)上开设有通孔(6)，通孔(6)中从内向外依次设置有金属柱(1)和介质层(2)，金属柱(1)引出有端子a(7)，靠近通孔(6)端部的介质层(2)与硅衬底(5)之间设置有P型参杂区(4)，P型参杂区(4)的端面上引出有端子b(8)。