[发明专利]一种可调谐超材料偏振器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910419793.3 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110146999B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 闵力;王文进;罗文华;文于华;李照宇;邹新长;刘均 | 申请（专利权）人： | 湖南理工学院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 41400*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可调谐超材料偏振器及其制作方法。在衬底上的由掺杂半导体超材料共振单元构成的超材料阵列，共振单元的第一电源端口接调控电源的正极，共振单元的第二电源端口接调控电源的负极，避免了通过线偏振器和四分之一波片来构造偏振器，缩小了体积且易于集成。此外，通过外部电场调节半导体内部载流子的浓度，实现了动态调控超材料的电磁共振强度，从而满足了偏振器不同工作波长的需求，拓宽了工作波长的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调谐 材料 偏振 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可调谐超材料偏振器，其特征在于，包括：调控电源、衬底和形成在所述衬底上的由掺杂半导体超材料共振单元构成的超材料阵列；所述共振单元的第一电源端口接所述调控电源的正极，所述共振单元的第二电源端口接所述调控电源的负极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南理工学院，未经湖南理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910419793.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
