[发明专利]一种基于AAO模板制备二维网状结构、c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910421414.4 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110241383A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑辉;陈伟;张阳;郑鹏;郑梁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/08;C23C14/58;C01G49/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于AAO模板制备二维网状结构、c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜的方法，可以多种类型的基片为衬底，利用模板转移技术将通孔的AAO模板转移至基片上；然后，利用真空物理沉积技术，在较低的基底温度下制备出具有二维网状结构且c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜。与传统PLD制备c轴面内取向的BaM薄膜相比，本发明对于基片的选择具有更多的选择性，可以在多种基片上沉积，如Al2O3、Si等基片，并且制备出c轴面内取向，具有二维网状结构的BaM铁氧体纳米薄膜。此制备方法操作简单，易于完成，实现了一种面内取向的新型磁性薄膜结构的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 面内取向 制备 二维网状结构 铁氧体纳米 薄膜 真空物理沉积 薄膜结构 模板转移 新型磁性 衬底 基底 通孔 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种基于AAO模板制备二维网状结构、c轴面内取向的BaM铁氧体纳米薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)对基片进行清洗；(2)将AAO模板转移到已清洗的基片上；(3)将步骤(2)转移好的基片放入烘箱中烘烤一定时间；(4)利用真空物理沉积技术制备BaM薄膜；(5)将步骤(4)处理好的样品进行退火处理；在所述步骤(4)中，在薄膜的沉积过程中，等离子接触到AAO时，部分粒子沉积到孔洞中形成纳米点阵，同时还有一部分沉积在AAO表面，在孔壁上成核生长，随着沉积时间的推移，逐渐生长成网状结构薄膜。
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