[发明专利]基于傅里叶拟合的记忆电机调磁电流预测方法有效
| 申请号： | 201910421799.4 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110165961B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 阳辉;揭宇飞;李锦达;王明晖;郭轩江 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H02P21/22 | 分类号： | H02P21/22 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 冯艳芬 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于傅里叶拟合的记忆电机调磁电流预测方法，该方法包括：(1)采用实验装置获取对永磁体施加不同电流I时的气隙磁密B |
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| 搜索关键词： | 基于 傅里叶 拟合 记忆 电机 磁电 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于傅里叶拟合的记忆电机调磁电流预测方法，其特征在于该方法包括：(1)采用实验装置获取对永磁体施加不同电流I时的气隙磁密Bg；(2)根据电流I与气隙磁密Bg的关系数据，采用磁通连续原理计算永磁体磁密Bm，采用安培环路定理计算永磁体磁场强度Hm；(3)根据永磁体的Bm及Hm数据，对记忆电机永磁体的回复线和磁滞回线进行拟合，得到傅里叶拟合磁滞模型；(4)基于所述傅里叶拟合磁滞模型，预测记忆电机永磁体从初始磁化状态Bg1到目标磁化状态Bg2所需的调磁所需电流I*。
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