[发明专利]一种钙钛矿晶体生长体系及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910421874.7 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN110093665B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 刘董;赵一英;张子明 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B7/08;C30B7/06
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 周宇
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种钙钛矿晶体生长体系及其制作方法,属于功能材料领域。钙钛矿晶体生长体系用于在期望温度内制作钙钛矿的单晶体。晶体生长体系包括被分层布置的第一液体试剂和第二液体试剂。第一液体试剂由第一分子构成,第一液体试剂在期望温度下能够保持为液相。第二液体试剂由第二分子构成。第一液体试剂和第二液体试剂不相互溶,且第二液体试剂是钙钛矿和/或用于制作钙钛矿的原料的良溶剂。第一液体试剂和第二液体试剂具有如下定义:在期望温度下,第二液体试剂能够以第二分子穿过第一分子之间的间隙从晶体生长体系脱离。示例中的钙钛矿制作方法能够以高可操作性的方式实现单晶的钙钛矿制作。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 晶体生长 体系 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种钙钛矿晶体生长体系,其特征在于,所述晶体生长体系用于在期望温度内制作钙钛矿的单晶体;所述晶体生长体系包括被分层布置的第一液体试剂和第二液体试剂,第一液体试剂由第一分子构成,所述第一液体试剂在所述期望温度下能够保持为液相,所述第二液体试剂由第二分子构成;所述第一液体试剂和所述第二液体试剂不相互溶,且所述第二液体试剂是所述钙钛矿和/或用于制作所述钙钛矿的原料的良溶剂;所述第一液体试剂和所述第二液体试剂具有如下定义:在所述期望温度下,所述第二液体试剂能够以所述第二分子穿过所述第一分子之间的间隙从所述晶体生长体系脱离。
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