[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201910423045.2 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246938B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 安顺浩;韩昌锡;尹俊皓;金材宪;柳时熏 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种发光器件。该发光器件包括：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其位于所述p型半导体层与所述有源层之间，且包括Al，其中，所述p型半导体层包括高浓度掺杂层、及设置在所述高浓度掺杂层与所述电子阻挡层之间的未掺杂层，并且所述未掺杂层所具有的掺杂剂浓度小于2×10 |
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| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，其包括：n型半导体层；p型半导体层；有源层，其位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；以及电子阻挡层，其位于所述p型半导体层与所述有源层之间，且包括Al；其中，所述p型半导体层包括高浓度掺杂层、及设置在所述高浓度掺杂层与所述电子阻挡层之间的未掺杂层，并且所述未掺杂层所具有的掺杂剂浓度小于2×1019/cm3。
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