[发明专利]金属结构、器件和方法在审
申请号: | 201910423104.6 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110634836A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | D.J.齐拉思;M.麦克斯温尼;J.法默;A.S.乔杜里 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙鹏;申屠伟进 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文提供金属结构,所述金属结构可以包括钴合金、镍合金或镍,以及有关的设备和方法。所述金属结构可以通过化学气相沉积(CVD)来被形成,并且可以包括在CVD过程期间所使用的前体材料的痕量。 | ||
搜索关键词: | 金属结构 化学气相沉积 前体材料 镍合金 钴合金 痕量 | ||
【主权项】:
1.一种金属结构,包括:/nA或B;以及/n碳、氮、氧、磷、卤素或氢中的一个或多个;/n其中A包括:/nb重量百分比的Co;/nq重量百分比的Q;以及/nz重量百分比的Z;/n其中b、q和z的总和等于100%;b在50%和99.99%之间,q在0.01%和50%之间;z在0%和49.9%之间;当z为0%时,Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Nb、Ta、W或Zr;当z不是0%时,Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Nb或Ta;并且Z选自Mo或W;/n其中B包括:/nd重量百分比的Ni;/ne重量百分比的X;以及/nf重量百分比的G;/n其中d、e和f的总和等于100%;d在50%和100%之间,e在0%和50%之间,f在0%和49.99%之间;当f为0%的时候,X选自 Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Nb、Ta或W;当f不是0%的时候,X选自Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Nb或Ta;并且G选自Mo或W。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910423104.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:一种用于铜互联电路中的扩散阻挡层