[发明专利]一种垂直面射型的激光结构及制作方法在审
| 申请号： | 201910423254.7 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110048306A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种垂直面射型的激光结构及制作方法，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化区域 垂直面射型 激光结构 凹槽结构 尺寸定义 光学限制 氧化层 高功率单模激光 独立控制 同心设置 衬底 制作 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种垂直面射型的激光结构，其特征在于，所述激光结构包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型布拉格反射镜层、主动层和氧化层，其中，所述氧化层的中心区域为未氧化区域；设置在所述氧化层背离所述主动层一侧的P型布拉格反射镜层；设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的P型欧姆接触层；设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的透明导电层，且覆盖所述P型欧姆接触层；设置在所述透明导电层背离所述P型布拉格反射镜层一侧的P电极；贯穿所述P电极的凹槽结构；其中，所述未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置；并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照半导体科技有限公司，未经厦门乾照半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910423254.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨烯-介质DBR单模垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 下一篇：气体开关
