[发明专利]二维材料的生长装置有效
申请号: | 201910424061.3 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110066989B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 孙正乾;于葛亮;唐阳;王永慧 | 申请(专利权)人: | 无锡费曼科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/30 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;涂三民 |
地址: | 214174 江苏省无锡市惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种二维材料的生长装置,在生长管的左、右端部设有左封板与右封板,在生长管的在右封板上固定有导流后板与导流前板,在从上往下方向上,导流后板向前下方倾斜,导流前板向后下方倾斜;在生长管上开设有下插槽与上插槽,在下插槽下方的生长管内壁固定有气体阻隔板,在生长管上开设有生长管气孔,在下插槽内插装有下层插片,在气体阻隔板左侧的下层插片的上表面设有放置凹陷,在下层插片上开设有第一气孔与第二气孔,在上插槽内插装有生长板与排气板,在排气板上开设有排气板气孔,导流后板与导流前板设置在下插槽与上插槽之间。本发明使得生长出来的二维材料的重复性高、质量好且单层多层可控。 | ||
搜索关键词: | 二维 材料 生长 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高品质二维材料的生长装置,其特征是:在生长管(1)的左端部设有左封板(11),在生长管(1)的右端部设有右封板(12),在右封板(12)上固定有若干块导流后板(31)与若干块导流前板(32),在从上往下方向上,导流后板(31)向前下方倾斜,导流外板(32)向后下方倾斜;在生长管(1)上开设有下插槽(13)与上插槽(14),在下插槽(13)下方的生长管(1)内壁固定有气体阻隔板(15),在生长管(1)的上部管体上开设有生长管气孔(16),在下插槽(13)内插装有下层插片(2),下层插片(2)的下表面与气体阻隔板(15)的上端面密封接触,所述左封板(11)与右封板(12)均封住下层插片(2)上方的生长管(1)的内孔,在气体阻隔板(15)左侧的下层插片(2)的上表面设有放置凹陷(21),在气体阻隔板(15)左侧的下层插片(2)上开设有第一气孔(22),在气体阻隔板(15)右侧的下层插片(2)上开设有第二气孔(23),在上插槽(14)内插装有生长板(4)与排气板(5),在排气板(5)上开设有排气板气孔(51),导流后板(31)与导流前板(32)设置在下插槽(13)与上插槽(14)之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的