[发明专利]IMD测试结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201910424941.0 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110112120B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 单法宪;周玲 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IMD测试结构及半导体器件，包括介质层及其内的两个相对设置的上层测试板、两个相对设置的下层测试板及通孔阵列，上层测试板电连接若干沿行方向延伸且相互穿插的上层导电条，下层测试板之间具有若干沿行方向延伸的包括至少两个子导电条的下层导电条，两个下层测试板电连接的子导电条相互穿插；第一通孔行的若干第一通孔连接一个子导电条，第二通孔行的若干第二通孔连接一个子导电条及其上方的上层导电条。设计至少两个子导电条增加了下层导电条的周长，在保证测试总周长时可以减小测试数量，极大增加了测试效率，且所述子导电条之间的间隔尺寸可以设计的很小，以效评估子导电条之间或通孔之间的IMD性能，提高测试灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | imd 测试 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种IMD测试结构，形成于介质层中，其特征在于，包括：两个相对设置的上层测试板，分别电连接若干沿行方向延伸的上层导电条，两个所述上层测试板电连接的上层导电条相互穿插；两个相对设置的下层测试板，两个所述下层测试板之间具有若干沿行方向延伸的下层导电条，一个所述上层导电条覆盖一个所述下层导电条，每个所述下层导电条均包括至少两个沿行方向延伸的子导电条，并且，两个所述下层测试板电连接的子导电条相互穿插；通孔阵列，包括若干第一通孔行及若干第二通孔行，所述第一通孔行中包括若干连接一个所述子导电条的第一通孔，所述第二通孔行包括若干连接一个所述子导电条及其上方的上层导电条的第二通孔。
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