[发明专利]一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法在审
| 申请号： | 201910425527.1 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110093667A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郑律;马可军;俞振中;门楠 | 申请（专利权）人： | 浙江森尼克半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B23/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法，该装置包括：加热炉，延轴向依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态时，所述主舟与长晶套管分离，抽石英管内气压至10‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时，主舟与长晶套管由石英磨砂连接，主舟内形成密闭空间，加热料舟至目标温度，控制加热炉以一个与晶体生长速率相匹配的恒定速度沿炉腔轴向移动，从而使在长晶过程中ZnTe晶体的固气界面始终保持恒定的生长温场环境，实现ZnTe单晶的稳定生长。 | ||
| 搜索关键词： | 加热炉 炉腔 套管 单晶体 石英管 生长 轴向相对移动 恒定 晶体生长 密闭空间 生长温场 轴向移动 氩气 恒定的 恒温区 加热料 降温区 晶体的 石英舟 单晶 固气 料舟 磨砂 石英 温区 轴向 气压 匹配 贯通 安置 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长ZnTe单晶体的装置，其特征在于，包括：加热炉，依次包括恒温区和线性降温区，所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔；石英管，安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动，所述石英管具有内腔，一端密闭一端开放；组合石英舟，由主舟、料舟和长晶套管组成；所述主舟为一端密闭，另一端有磨砂开口的石英舟，与石英推干相对固定，置于石英管内部；所述料舟为开放式石英舟，置于主舟内部密闭一端，用于盛放ZnTe的多晶颗粒；所述长晶套管为具有磨砂口和一根石英棒的组合石英件，其磨砂口可与主舟磨砂口连接密封，磨砂口与石英棒相接处呈尖端状；法兰，所述法兰可安装于石英管开放端，法兰上开有一抽气孔和一密闭的活塞口，长晶套管的石英棒穿过活塞口且可在保持密闭的条件下轴向移动。
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