[发明专利]一种雪崩二极管电场的计算方法有效
| 申请号： | 201910426649.2 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110162879B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王亮;张博健;秦金 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种雪崩二极管电场的计算方法，雪崩二极管由上至下依次包括倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层，方法包括：S1，确定倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层的每层的厚度、介电常数和掺杂浓度；S2，根据厚度、介电常数以及掺杂浓度确定雪崩二极管中倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层的电场。基于泊松方程，通过与倍增条件公式、碰撞电离模型等的结合，推导出雪崩二极管中各层的电场以及雪崩电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 二极管 电场 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩二极管电场的计算方法，所述雪崩二极管由上至下依次包括倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层，所述方法包括：S1，确定所述倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层的每层的厚度、介电常数和掺杂浓度；S2，根据所述厚度、介电常数以及掺杂浓度确定所述雪崩二极管中倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层的电场。
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