[发明专利]一种低功耗低电源电压参考电路

摘要

本发明提供一种结构简单的低功耗、低电压的非带隙结构的参考电压电路，包括自偏置电流源电路和参考电压产生NMOS电路；利用MOS管的阈值电压的负温度系数与MOS管的过驱动电压的正温度系数相抵消实现参考电压的低温度系数；解决了传统带隙基准结构复杂、功耗较大、工作电压高的问题。

主权项

1.一种电路结构，利用MOS管的阈值电压的负温度系数与MOS管的过驱动电压的正温度系数相抵消，产生与温度无关的参考电压；自偏置电流源由电阻R、NMOS M1、M2、PMOS M3、M4、M5组成；该结构由自偏置电流源和参考电压产生NMOS组成；电阻R的一端接地，另一端接NMOS M1的源极；NMOS M1的源极接电阻R的一端，栅极接NMOS M2的栅极、漏极和PMOS M4的漏极，漏极接PMOS M3的栅极、漏极和PMOS M4、M5的栅极；NMOS M2的源极接地，栅极、漏极一起接NMOS M1的栅极和PMOS M4的漏极；PMOS M3的源极接VDD，栅极、漏极一起接PMOS M4、M5的栅极和NMOS M1的漏极；PMOS M4的源极接VDD，栅极接PMOS M3的栅极、漏极和PMOS M5的栅极和NMOS管M1的漏极，漏极接NMOS M2的栅极、漏极和NMOS M1的栅极；PMOS M5的源极接VDD，栅极接PMOS M3的栅极、漏极和PMOS M4的栅极和NMOS管M1的漏极，漏极接参考电压产生NMOS M6的栅极、漏极并作为参考电路的输出结点VREF；参考电压产生NMOS M6的栅极、漏极一起接PMOS M5的漏极并作为参考电路的输出结点VREF，源极接地。